西铁城晶振,无源晶振,CM415晶振,谐振器

商品型号：西铁城晶振,无源晶振,CM415晶振,谐振器
品牌：西铁城晶振
电容：12.5 pF
尺寸：4.1*1.5*0.9mm
MHZ：32.768KHZ

西铁城晶振,无源晶振,CM415晶振,谐振器,小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥石英晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.

西铁城晶振	符号	CM415晶振	条件
额定频率范围	Fo	32.768KHZ
频率公差（标准）	△ f/f0	±20ppm	基准温度（25°C）
负载电容	CL	9.0Pf,12.5pF	若有其它指定要求可联系我们
工作温度	Topr	-40°C~+85°C
储存温度	Tstr	-55°C~+125°C
顶点温度	Tm	25°C±5°C
周波数温度系数	β	－0.034±0.006ppm/℃2
串联电阻（ESR）	R1	70KΩMax.	基准温度（25°C）
激励电平	DL	1μW Max
频率老化	△ f/f0	±3ppm Max.	25℃±3℃
分路电容	Co	1.35pF Typ.

激励功率在晶体单元上施加过多驱动力，会导致贴片晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。负极电阻除非西铁城晶振振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则石英晶体谐振器或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。负载电容振荡电路中负载电容的不同，可能导致SMD晶振频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。

操作

请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触无源晶振的表面。

使用环境（温度和湿度）

请在规定的温度范围内使用贴片石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

1.驱动能力
驱动能力说明所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2.Re
其中i表示经过单元的电流，
Re表示单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振荡补偿
除非在电路中提供足够的负极电阻，否则会增加进口晶振启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极

3.负载电容
如果电路中负载电容的不同，可能导致石英晶体振荡器频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。